3400GはArF液浸マルチパターニングの12nm FinFETだ
実際は16nmFinFETのスタンダードセルを改良して
ほとんどシュリンクしてないのに数字減少させたマーケティング上の12nm
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/1091761.html

さらにNaviではなくてVega
Zen2ですらなくZen+

設計も製造プロセスルールも古い

EUVシングル露光(画像中央)とArF液浸マルチパターニング(画像左)を比べてみれば分かる通り
現行のArF液浸マルチパターニングはデブの四肢のように浮腫んでいるのが分かる
短絡してはいけない場所が短絡し歩留まり悪化、リーク電流増加などの原因となっている
これらを根本的に解決できるEUVが半導体業界に与えるインパクトはプレーナー　→　FinFETよりも大きい
https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1609/14/l_tt160914_FD_photo001.jpg

EUV 7nm採用のAPUに期待しよう