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【半導体】IBM、2nmプロセスを用いた半導体チップの開発に成功 [すらいむ★]

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1すらいむ ★
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2021/05/07(金) 16:50:13.23ID:CAP_USER
IBM、2nmプロセスを用いた半導体チップの開発に成功
著者：小林行雄

　IBMは5月6日(米国時間)、2nmのナノシート・テクノロジーによる半導体チップの開発に成功したことを発表した。

　同社によると、同プロセスを使用すると、現在、量産適用されている中でも先端プロセスである7nmプロセス比でパフォーマンスは45％向上、消費電力は75％削減できることが予想されるとしており、例として携帯電話のバッテリー寿命が4倍に伸び、4日に1回、充電するだけで良くなるとしている。

　また、同2nmプロセス技術は、IBMリサーチによるナノシート。
　テクノロジーを使用することで、指の爪のサイズのチップに最大500億個のトランジスタを搭載することができるようになるとしており、より多くのトランジスタを搭載することができれば、さまざまなイノベーションを生み出す機能を追加することができるようになると同社では説明している。

　なお、同社の製品としては、量産ベースではIBMリサーチの7nmプロセス技術に基づいて商品化されたIBM POWER 10ベースのIBM Power Systemsが2021年後半に登場する予定としている。

マイナビニュース　2021/05/07 15:36
https://news.mynavi.jp/article/20210507-1884956/
2021/05/12(水) 05:26:44.55ID:UHsVPEdS
6年後くらいの技術か小型設備のほうが小回り効いて改良しやすいのだろう
スパコン用とか特殊部品の製造にはいいんじゃないの日本もやれ
2021/05/12(水) 05:43:46.98ID:6BNSx+0B
てか、メーカー毎にnmの長さが違うもんだいは解決したんか？？
てか、2nmの製造装置やら製造業者は地球上に存在するんか？
161名無しのひみつ
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2021/05/12(水) 08:26:57.72ID:2jmt2wvQ
>>119
軍事用だと最先端がFD-SOIとはいえ14nm（しかもIntel基準だと実質20nm）だしねえ‥‥
微細化された半導体なんて怖くて軍事用では使えん
2021/05/12(水) 08:43:41.93ID:PBRYrGCY
正規化に使うσとμが違うから比較できないっていうなら
同じσとμを使えばいいし
別の集団に別のσやμを適用したくないなら同じ集団に入れて母集団を構成すればいい
例えば国ごとの知能指数を出したりするけどあれと同じ手法ね
とにかく元データが正規化されていない点数なんだから比較はできるんだよ
2021/05/12(水) 08:43:57.85ID:PBRYrGCY
ごめん誤爆した
2021/05/12(水) 09:59:07.23ID:xFFkF5RM
>>162
>とにかく元データが正規化されていない点数なんだから比較はできるんだよ


正規化されてるから使えねーって言ってんだろ
いいからIQの算出方法シ調べてこいマヌケ
165名無しのひみつ
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2021/05/12(水) 22:51:59.11ID:aNvK+a9y
>>158
20年くらい前に聞いたニュースだな
166名無しのひみつ
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2021/05/13(木) 10:21:51.37ID:KqnUSC4J
IBM Introduces the World’s First 2-nm Node Chip
New chip milestone offers greater efficiency and performance
https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/ibm-introduces-the-worlds-first-2nm-node-chip
2021/05/13(木) 11:53:03.89ID:S6iw198S
>>18
90nmの頃よりは各社改善してる
168名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 15:46:23.17ID:y1tgXUIz
配線ルールが細くなると沢山電流を流すわけにはいかなくなる。
電圧を上げると電界が強くなりすぎて破壊だとか電子の雪崩現象が起きるし、
原子の移動が生じるから。
2021/05/15(土) 16:31:04.66ID:kPvX9ybL
>>165
最近の報道(テレ東)だとこれとかあるよ
ttps://www.youtube.com/watch?v=XMGrCNVXZKM
170名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 16:55:56.76ID:lhuScKYi
で、どこに2nmの箇所があるんだ？
2021/05/15(土) 17:36:05.38ID:n6TUMLnO
電界効果トランジスタを構成する3要素
ソース ゲート ドレイン
のうち、真ん中のゲートの幅が2nmということか
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E7%95%8C%E5%8A%B9%E6%9E%9C%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF

旧来のバイポーラトランジスタの場合は
コレクタ ベース エミッタ だった
172名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 18:38:51.24ID:lhuScKYi
>>171
そこを基準にしてたのは昔の話。
IBMのはゲート長も配線も13nmを越えてない
紫外線ではそれを越えるのは無理
X線を使わない限り転写に平行な面で13nmより細かくすることはできない
それはTSMCも同じ
2021/05/15(土) 19:14:13.57ID:PBKmQ9KZ
>>172
そこで積層だのなんだの言われてるけど
NANDとはけた違いに難しいんだよね‥‥

炭素系で突破するしかないと思うわ
174名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 19:30:35.09ID:lhuScKYi
>>173
なんで微細化の話してたのに炭素が出てくる
素材の話なんてしてないぞ
2021/05/15(土) 20:10:16.29ID:858Bt9sx
>>174
微細化のために素材を変える必要があるって言いたいんだろ
そんな疑問に思うことか？ｗ
176名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 20:45:50.44ID:lhuScKYi
>>175
なんで172に安価して素材の話が出てくるんだって言ってんだよ
2021/05/15(土) 20:50:07.55ID:PBKmQ9KZ
>>174
言葉足らずだったかもしれないけれど
微細化限界だから素材変えようねってレスの話ね
2021/05/15(土) 20:50:59.24ID:858Bt9sx
>>176
いや言ってなかったぞ
↓見てみ

> >>173
> なんで微細化の話してたのに炭素が出てくる
> 素材の話なんてしてないぞ
179名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 20:59:38.56ID:lhuScKYi
>>177
今の微細化限界は素材以前に転写する紫外線の波長だ
って言いたいんだけど
素材じゃなくて製造工程のこと話してたんだが
2021/05/15(土) 21:05:29.94ID:PBKmQ9KZ
>>179
EUVは高価かつ限界だし、ナノインプリントとかどこにいったのか分からんし、
思い切って微細化突き詰めるではなくて素材変えたら？て主旨だよ
そこまで書かないと分かりにくかったのなら申し訳ない
181名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 21:17:57.99ID:Htrj/+gA
そろそろ1nmを1000pmで表記してもいいと思う
182名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 21:26:29.10ID:lhuScKYi
>>180
いや書けよ。
文脈的に微細化をどうするかって流れだろ。
自分の中だけで完結しといて「読み取れないおまえが悪い」みたいな言い方してんじゃねーよ。
183名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 21:32:40.96ID:y1tgXUIz
凹反印刷の技術で回路を印刷して作る方が光の波長よりも細かい構造が
作れるとか言っていたのは、どうなったんだろうか？LSIを作っていくときに
でこぼこがあるとうまく行かなかったのかな？ちょっとでもカスレや
にじみがあると、印刷物としてはOKでも回路としては御釈迦だからか？
184名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 21:33:17.31ID:qUUbbW7g
凄すぎ
45nmの壁とは何だったのか
2021/05/15(土) 22:41:46.88ID:UBzA02F/
>>165
最近ちょいちょい聞く
2021/05/15(土) 22:42:48.48ID:858Bt9sx
>>181
350nmとかは0.35と言ってるから
サブnmになったとしてもしばらくはnmと言いそう
まあ積層で稼ぐ場合nmと縦積みの層数で読んだほうが分かりやすいけど
187名無しのひみつ
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2021/05/15(土) 23:23:44.74ID:ixDSurwP
>>113
IBMはハードウェアからサービスの企業に代わるために
経営陣も従業員もすべてリストラし人員をすべて入れ替えた

日本にこんな発想できる会社はない
2021/05/16(日) 00:29:29.84ID:noJUZk8l
>>187
やってるけどね
IBMのパクリやってた企業は全て同じことした
基本的にIBMの後追いだからな
リストラしてんのよ
2021/05/16(日) 05:56:59.17ID:2HEv6eZl
インテルもライセンス受けるかもな
190名無しのひみつ
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2021/05/16(日) 14:47:37.78ID:LZblEEpn
物理限界　試作限界　量産限界

インテルがコケてたし限界付近かとおもうがもうちょい道が続くのか
2021/05/16(日) 23:30:46.33ID:poEESRNy
微細化は目的じゃなくて性能と効率を上げるための手段だと思うんだけど
パワー半導体の炭化ケイ素とか窒化ガリウムとかってCPUには使えないん？
2021/05/17(月) 01:45:11.10ID:fmwvpo14
>>191
できない
シリコンの微細化による性能向上がズバ抜けてるから比較にならん
2021/05/17(月) 06:33:39.03ID:gvBXF33Z
リソのパターンを小さくできたからと言って、パターン通りにエッチングしてデポしてCMPして...ができなきゃ微細化は百害あって一利なし

Siに比べればSiCもGaNも装置もケミカルもノウハウの蓄積が足りない
2021/05/17(月) 10:09:10.91ID:9uYyrSnV
TSMCが行き詰るのは何時やろ？
195名無しのひみつ
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2021/05/19(水) 06:42:38.32ID:OqLM9ort
微細化したら、製品の寿命が短くなる傾向があると思ったが、
今のところそういう話は聞いていないな。フラッシュメモリは
記憶が蒸発するまでの時間が短くなりそうだが。
（USBのコネクタに挿さないで放置していると数年もしたら
記憶が消えるんじゃないかな？小型のボタン電池でも内蔵
させるようにした方がいいのじゃないかな？）
2021/05/19(水) 07:26:57.59ID:KcM5qyYC
>>195
短くなってるだろ。CPU、ノート用メモリ、グラボの故障それぞれ経験してる。
2021/05/19(水) 11:30:22.76ID:uqKKrm/1
半導体そのものは使わなければ故障しないと思うが…
大体の故障はコンデンサのせい
2021/05/19(水) 11:47:45.96ID:j/W/CxPs
>>197
エレクトロマイグレーションでggrks
2021/05/19(水) 20:16:31.58ID:8o0pDvBu
EMは設計ちゃんとしたら寿命が桁で伸びるから
装置全体の寿命を律速することがあまりない
HCIもNBTIもそうだな
200名無しのひみつ
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2021/05/20(木) 20:25:54.70ID:fPJgT2tT
いつか行き詰まるといわれてもう20年以上経つのにな。
201名無しのひみつ
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2021/05/20(木) 23:19:22.44ID:42z3inIc
新規材料でリーク抑制もそろそろ限界では？
2021/05/21(金) 08:44:49.09ID:E/lDK2wx
>>191
硬いから量産性にも難ありそう
203名無しのひみつ
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2021/05/22(土) 03:52:04.00ID:XBFrYFC4
なぜ「ソ連圏は半導体が作れなかったから真空管だった」などというデマが
まかり通るのか
2021/05/22(土) 07:05:53.92ID:2+h8xq1j
>>203
核兵器によるEMPに強いからかつてはそのまま採用されてたというのはデマだろうか
205名無しのひみつ
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2021/05/22(土) 12:10:25.69ID:Q1HeLTgW
>>183
20年前からずっとインクジェットだの色々出てくるけど一向に実用化されないよね。
206名無しのひみつ
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2021/05/22(土) 12:18:32.69ID:ZBN/lYyd
TSMC trumps IBM’s “2nm” chip tech hyperbole with “1nm” claim

　台湾半導体製造会社（TSMC）、台湾国立大学（NTU）、マサチューセッツ工科大学（MIT）は共同で、1ナノメートル（nm）チップの開発に大きな進歩があったことを発表しました。
https://www.verdict.co.uk/tsmc-trumps-ibms-2nm-chip-tech-hyperbole-with-1nm-claim/


TSMCが1nmプロセスのブレークスルーを発表

　台湾半導体製造会社（TSMC）、台湾国立大学（NTU）、マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究者が執筆した半導体技術に関する重要な論文が、Natureから出版されました。
三者は、エレクトロニクスにおける「シリコンを超えた」および2D材料の使用におけるブレークスルーを発表しました。

　この研究は、1nm以下の電子機器製造プロセスへの道を提供し、現在の半導体技術と材料の限界を打ち破るのに役立ちます。
https://hexus.net/tech/news/industry/147822-tsmc-partners-announce-1nm-process-breakthrough/
2021/05/22(土) 12:46:45.19ID:B7b7g+cO
>>206
MITなど、グラフェンを超える「スーパー半導体」で良好なFETを作成
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/707593.html
208名無しのひみつ
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2021/05/23(日) 15:32:12.22ID:TAAwUpD3
どこかで技術が行き詰まりになって進歩や改良が停滞したら、
ビジネスとしては価格談合などで値段が下がらないようにしたり、
値段をつり上げていくようになるかもしれないね。
そのほか半導体製品にわざと寿命を導入して保証期間と称するなど。
209名無しのひみつ
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2021/06/15(火) 07:31:46.46ID:rkMnL7i8
>>49
日本製ってレジスト塗る装置と洗浄装置だけだろ
1番難しい工程である露光とエッチングはASMLとLamの装置しか使われてないよ
2021/06/15(火) 07:49:09.30ID:hnO/wM/Z
>>203
普通にシリコンベースのもの作ってたよな
メモリの容量が西側が64kbなのに対して8kbまでしかいなかかっただけで
今でもロシアは自前で300nmまでなら全部自国の素材・装置で作れるし
211名無しのひみつ
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2021/06/15(火) 09:48:20.65ID:8Pju3tin
たしか日本製が多いのは、完成ウェーハーからチップを切り離す装置、
チップの検査装置、ウェーハー、レジスト、超純水製造装置、
フッ化水素水。
いまは
シリコンロッド（単結晶のシリコンの棒）製品、
シリコンロッドからウェーハーを切り出す装置、
などはどうなっただろうか？
212名無しのひみつ
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2021/06/16(水) 13:25:48.24ID:4p8cFiXH
アメリカ製兵器に使われるプロセスってのは何ｎｍ？
213名無しのひみつ
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2021/06/16(水) 16:21:52.93ID:vuzpSZNx
ずいぶん前に微少な、たとえば分子サイズのマイクロマシンがあれば、
どんどんどと縮小された微細な加工技術もできるんだ、とかいうお花畑の
研究が宣伝されていた時期があるけれども、ああいうのは今ではちっとも
聞かれなくなったが、いったいどうなったんだろうか？既に普及して珍しく
なくなったのかな？
214名無しのひみつ
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2021/06/16(水) 19:22:00.76ID:P+TdghFH
１nmでも。２nmでも結局は後追いのIntelのSRAMと同じ程度のSRAMしか作れないのに
W64bitOSの時代に16bitのベンチマークで早いぞとかいうレベルだろ。
2021/06/16(水) 23:42:44.83ID:BW8v7TxO
誰か翻訳おなしゃす
https://semiwiki.com/wp-content/uploads/2020/03/Fig.-2.-SRAM-bit-cell-scaling-is-shown-for-2011-to-2019.jpg
2021/06/17(木) 20:26:07.46ID:cM+0T1x3
>>206
現段階でこれってことは市販品まで10年以上はかかるな
2025年の2nmでいったん打ち止めか
半導体バブルの崩壊がくるぞー
2021/06/18(金) 17:29:40.69ID:A8DyDry+
>>212
F-35の45nm FD-SOIが最先端じゃね
ドローンはだいたい130nmとかそんなもんだと思う
218名無しのひみつ
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2021/06/18(金) 17:44:40.96ID:o2a0iul7
そろそろ単位nmからpmにしたほうがいいじゃないの？
2nmも2000pmになって数字的に細くできそうな気がしてくる
219名無しのひみつ
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2021/06/18(金) 18:03:31.29ID:7Ghqqodx
>>54
アベガーはマダー？？
2021/06/18(金) 18:41:47.61ID:4UhMXyXc
>>218
1μmや1.5μmってプロセスノードあったから2000pmはないなぁ、百歩譲って20Åやな。
2021/06/18(金) 21:05:55.89ID:pQRDOTQA
>>220
350nmじゃなくて0.35とか言ってたよな
222名無しのひみつ
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2021/06/19(土) 01:08:54.48ID:QdWsgzGz
はっきりしていることがある。
トランジスタの寸法は原子のサイズよりは小さくできない。
2021/06/19(土) 09:46:04.83ID:0d8DpCIy
もうこれ半分化学だろ
224名無しのひみつ
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2021/06/19(土) 23:53:36.59ID:IGmFeFkW
>>216
TSMCが何を言おうがとっくに打ち止めだし、そのくらいは織り込み済みだってば
2021/06/20(日) 01:41:35.41ID:tsXZErEO
原子を数えるレベルになってくると、一個の多少で性能に大きなバラツキが出てしまうよね？
歩留まり大丈夫です？
2021/06/20(日) 01:57:12.17ID:4bfdCz8s
熱運動でブルンブルンしてどっか行っちゃったり、紛れ込んだ気体分子に弾き飛ばされたりしそう
2021/06/20(日) 11:46:25.12ID:ysAPOxsI
>>224
となるとソフトウェアの進化が重要ということになる
既に65nmとかの旧世代プロセスで完全自動運転の試運転実現させてるとこもあるし
DX9の映像表現やアプリストアで盛り上がった00年代半ば〜10年代初頭のような時代になるんだろうな
228名無しのひみつ
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2021/06/20(日) 16:34:12.49ID:OLYu2WIT
半導体の動作速度の向上、集積密度の向上、は頭打ちであることは明らかなので、
これまでそれに頼り切ってあまり努力をせずに惰性で性能の向上を享受してきた
態度を改めて、半導体の性能の向上に頼らないで価値を生み出すための方策を
真剣に考えるべきときが来た。
　また、携帯機器類の電波通信で得られる通信速度もいずれ頭打ちになるときが
来るだろう。その後はどうするのだろうか？
2021/06/20(日) 17:28:50.47ID:tsXZErEO
>>171
ギャップ幅で比べるなら化学者がとっくに50pm-10nmで達成してるよな、単分子トランジスタ、単電子トランジスタとか言って

俺の居た院でも作ってる奴いたな
既製品の10nmギャップシリコン基板(電極付き)を買って、シリコンのキンクに結合する<5nmの剛直棒状有機半導体分子を設計&合成、浸して余分を洗い流す
電極から特性評価後、電顕で上手くギャップ作ってる割合を何日も掛けて目で数え、一素子あたりの特性を計算してたわ
鎖の長さを1炭素減らしたり増やしたり…
割とフリーダムに付いてたので歩留まりとかいう概念すらまだ早いけど、このスケールでの素子評価自体はシリコンプロセス的にも興味あるんじゃないかな？

そうじゃないと彼が報われなさすぎる
230名無しのひみつ
垢版 |
2021/06/20(日) 19:11:25.81ID:OLYu2WIT
一種の真空管のようにエアーギャップの両端に電圧をかけて
そこに流れる電流をゲートの電圧で制御すれば、半導体中を流れる
よりも電子が速く動けるだろうから、動作周波数を上げられるかも
しれないが、電圧とか消費電力が気になる。
2021/06/20(日) 23:11:51.14ID:uDixS/cL
>>229
横からだがなんかワロタ
スゲエ地道な事やってるんだな････頭が良い連中が報われない可能性の高い博打打ってるの見ると科学技術の発展てダメ元の世界なんだなって感じるわ
232名無しのひみつ
垢版 |
2021/06/24(木) 12:15:39.09ID:vgWD170A
半導体戦争に敗れた日本、なぜここまで弱体化？
唯一の武器「製造装置」に活路はあるか。
自民半導体議連の無策課題＝原彰宏
https://www.mag2.com/p/money/1070968

日本が調子良かった頃に、生産技術上のノウハウ
をアメリカなどに政治家や役所主導でポンポンと
惜しげも無く与えてしまった。馬鹿である。

バブルが崩壊した後、技術者を放りだして、
職にあぶれた技術者や停年者は、韓国や台湾の
求めに応じて技術指導・機密の持ち出しを行い、
製造上のいろいろな技術が漏出した。

製造装置を作っているメーカーは国内の半導体
製造工場が製品を買ってくれなくなったので
最先端の装置を海外（台湾、韓国、中国など）
に輸出した。それまでは型落ちの装置や中古
を輸出する程度だったのに。

なんやかんやで、無策と無能な政策や見当
違いの産業支援策（実際は官僚と政治家の
利権主体）で、日本の競争力が削がれた。
背景にはアメリカが日本の半導体の力を
削ることに熱心だったことがある。
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