電界効果トランジスタを構成する3要素
ソース ゲート ドレイン
のうち、真ん中のゲートの幅が2nmということか
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E7%95%8C%E5%8A%B9%E6%9E%9C%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF
旧来のバイポーラトランジスタの場合は
コレクタ ベース エミッタ だった
【半導体】IBM、2nmプロセスを用いた半導体チップの開発に成功 [すらいむ★]
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171名無しのひみつ
2021/05/15(土) 17:36:05.38ID:n6TUMLnO■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています