>>171
ギャップ幅で比べるなら化学者がとっくに50pm-10nmで達成してるよな、単分子トランジスタ、単電子トランジスタとか言って
俺の居た院でも作ってる奴いたな
既製品の10nmギャップシリコン基板(電極付き)を買って、シリコンのキンクに結合する<5nmの剛直棒状有機半導体分子を設計&合成、浸して余分を洗い流す
電極から特性評価後、電顕で上手くギャップ作ってる割合を何日も掛けて目で数え、一素子あたりの特性を計算してたわ
鎖の長さを1炭素減らしたり増やしたり…
割とフリーダムに付いてたので歩留まりとかいう概念すらまだ早いけど、このスケールでの素子評価自体はシリコンプロセス的にも興味あるんじゃないかな?
そうじゃないと彼が報われなさすぎる
【半導体】IBM、2nmプロセスを用いた半導体チップの開発に成功 [すらいむ★]
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229名無しのひみつ
2021/06/20(日) 17:28:50.47ID:tsXZErEO■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています