【物理】京大、SiC半導体により350°Cでも動作する集積回路の基本動作実証に成功 [すらいむ★]

京大、SiC半導体により350℃でも動作する集積回路の基本動作実証に成功
著者：波留久泉

　京都大学(京大)は、SiC半導体の集積回路を用いてSi半導体の集積回路では動作不可能な350℃という高温環境における基本動作の実証に成功したことを発表した。

　同成果は、京大大学院 工学研究科の金子光顕助教、同・木本恒暢教授らの研究チームによるもの。
　詳細は、3月22日〜26日に青山学院大学 相模原キャンパスとオンラインでハイブリッド開催されている「応用物理学会第69回春季学術講演会」において、3月25日に発表された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/03/25 21:57
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220325-2304045/

>>3
熱暴走しないなら冷却に電力取られなくてすむじゃん

>>3
ミサイルのシーカー用かも、高速滑空弾のシーカーは高温に耐えられる必要がある

チップは作れてもパッケージングがメチャクチャ難しそう＾＾；
３５０℃だとプラのモールドするのは完全に無理だろうが、
かといってセラミックパッケージの接合に使う金錫ハンダとか使えんだろうし

まぁたぶん２００℃とか２５０℃で使うのかな？
これでもシリコンだと無理っぽい高温だが・・・

>>31
超電導で動作するジョセフソン接合素子(JJ)っていうのが有ったけど
今のシリコン素子に性能負けてるからな

もう冷却問題が無くなるな

>>15
馬鹿

JFETでノーマリオフって珍しいな

ふつうにパッケージして、ふつーにハンダ付けして使えば良い。
接合温度の上限が350℃になれば、CPU温度が100℃を超えたとさわぐ必要もなく、
ちょいと冷却条件が悪くても暴走せずに安定で、
幅広い分野で使えるようになる、

どうしてもパッケージが心配なら、真空管のパッケージを流用できる
ニュービスタ管、スタックトロンというあたりは φ10mm×15mmぐらいか、それより小さかった

bonding wire も半田ボールも溶けるんですが。

そんな高い温度に無理にする必要はないんですが。
Si半導体をかならず125℃にして使うんですか？

熱の壁
飛行速度がマッハ3付近に近づくと、高速な機体の移動のために、
地球の大気が急速に圧縮される断熱圧縮により、高温になった空気に機体が加熱され高温となる。

高度10,000ｍ（標準大気）、マッハ３の飛行でよどみ点温度350℃を超えるところが生じる。
この温度では、航空機の主要な素材であるアルミニウム合金の使用温度限界155℃を超えてしまう。

太陽観測衛星の場合、温度だけじゃなく放射線耐性も求められるからそれも確認しないと。