【物理】東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功(Nature) [すらいむ★]

東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功

　東京大学(東大)、理化学研究所(理研)、科学技術振興機構(JST)の3者は7月21日、不揮発性メモリの超高速化・超低消費電力化を実現可能にする材料として注目を集める反強磁性体において、従来の強磁性体から構成されるMRAMで用いられている「垂直2値状態」を実現し、同状態を電気的に制御することに成功したことを発表した。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/07/25 20:07
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220725-2408000/

ネイチャーにのったか
超高速記録媒体への道が開けた

ネーチャってＳＴＡＰオバサンの似非記事載せちゃうＴＯＣＡＮＡみたいな雑誌

いつもの実用化は10年後をメド　だろ？

超高速餅つきと勝負だ！

な、なんだってー！！

反強という言葉を聞くと保守政治家が裏で資金を出してくれるのかも？

TSMCが次世代不揮発性メモリの研究成果を大量放出
福田 昭　PC Watch 2022年7月29日
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1428539.html