“最良”の半導体材か、シリコン上回る特性「立方晶ヒ化ホウ素」で確認

　米マサチューセッツ工科大学（ＭＩＴ）や米ヒューストン大学などの研究チームは、半導体材料として立方晶ヒ化ホウ素（ｃ―ＢＡｓ）がシリコンを上回る特性を持つことを実験で確認した。
　電子だけでなくホール（正孔）の移動度も同様に高く、熱伝導性に優れることから「これまでで『最良』の半導体材料ではないか」としている。
　成果は米科学誌サイエンスに掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

ニュースイッチ　2022年08月04日
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