【半導体】半導体の無電解Cuめっき処理で生じるナノボイドを抑制する手法、阪大が考案 [すらいむ★]

半導体の無電解Cuめっき処理で生じるナノボイドを抑制する手法、阪大が考案

　大阪大学(阪大)は8月23日、奥野製薬工業が開発しためっき技術「OPC FLETプロセス」を先端半導体基板(ビア径60μm)に適用し、内層銅と無電解めっき界面の断面を透過電子顕微鏡で詳細に解析したところ、従来プロセスでは100nm以下のボイドが多数確認されるところ、OPC FLETプロセスでは界面ナノボイドがなく、その発生を抑制できることを実証したと発表した。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/08/24 19:40
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220824-2433508/

１ｓ＞配線層の3次元化・・
今ではオジジのオレが現役だった頃は、
「そんな話もある」程度の話題だったけど、
今では最先端の話題になったのだねー。

（私は、応用設計分野でした。とは言っても、
　最先端の半導体技術を、いち早く設計に効果的に取り入れていく。
　それが出来ないと、たちまち時代遅れになってしまいます。）

歩留まりとか上がりそうだが、特許化しても
侵害の立証が難しくないかな。

那珂の歩留まりは元に戻ったのか?　世界中のCuメッキプロセス担当者は気が気じゃなかっただろう

>>3
ニッケルフリーの鍍金液がキモだから大丈夫だろ