【半導体】高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発 [すらいむ★]

高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発

　東京工業大学(東工大)は9月14日、正孔輸送材料の性能を向上させる等原子価の不純物を用いた正孔ドーピング法を新たに開発したことを発表した。

　同成果は、東工大 元素戦略研究センターの松崎功佑特任助教(現・産業総合技術研究所 主任研究員)、同・細野秀雄栄誉教授、同・大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所の熊谷悠准教授(現・東工大特定教授、東北大学教授兼任)、同・大場史康教授、同・角田直樹大学院生、米・カリフォルニア大学サンディエゴ校の野村研二准教授らの国際共同研究チームによるもの。
　詳細は、米国化学会が刊行する機関学術誌「Journal of the American Chemical Society」に掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/09/15 19:21
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220915-2455841/

ニダ

製品になって儲かったら教えてくれ

>>6
ホモ接合して、空孔に電荷を注入しろ

CIGS(Cu I Ga Se)薄膜太陽電池というのがあったんだね
知らなかった
孔を濃度として見た場合にドープするイオンの径が大きいと濃くすることができ
そしてセシウムが！
でも、孔が大きくなったということなのでは？

>>10
ホールがなにか分かってるのか？