半導体の熱問題を解決できる技術、東大が開発

　東京大学の研究グループは9日、半導体シリコンの熱放射を倍増させる技術を開発した。

　高性能半導体デバイスにおいては、局所的な発熱により性能や信頼性が低下してしまうことが問題となっている。
　しかし研究グループでは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで、プランクの熱放射則で決まるとされていた熱放射を倍増させることに成功した。
　これにより、発熱問題解消に期待がかかる。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

impress　2024年5月10日 15:19
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1590504.html