「リーク電流ゼロ」の垂直積層トランジスタ開発に初成功：ムーアの法則の壁を打ち破る次世代3D半導体がついに実現か

　現代社会のインフラを根底から支える半導体産業は、今まさに歴史的な転換点を迎えている。
　AI処理を担う巨大なデータセンターや日常的に持ち歩くモバイル機器の性能向上は、トランジスタのサイズを極小化し、限られたシリコンチップの上に無数の素子を詰め込む「微細化」の歴史によって実現されてきた。
　しかし、構成要素の寸法が原子の大きさに近づくにつれ、従来の平面的な構造による微細化は物理的な限界に直面している。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

xenospectrum　2026年3月17日15:54
https://xenospectrum.com/next-generation-3d-vertical-transistor-dgist