>>39素人なので下記につながるという発想です

東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。
2026年4月18日
https://xenospectrum.com/antiferromagnetic-mram-mn3sn-mgo-tmr-breakthrough/
>>MgO層の内部をトンネルしようとする電子の波動関数は、指数関数的に減衰しながら壁をすり抜ける。このとき、MgOの複素バンド構造の特性により、運動量がゼロ付近（k_parallel = 0）、すなわち接合面に対して完全に垂直に直進する電子だけが、最も減衰せずに通り抜けることができる。斜め方向の運動量を持つ電子は、厚いMgOの壁の内部で波としての性質を急速に失い、対岸の電極へ到達する前に消滅してしまう。