東大など、反強磁性体MRAMで熱に頼らない超高速動作の設計指針を提示 [すらいむ★]

東大など、反強磁性体MRAMで熱に頼らない超高速動作の設計指針を提示

　東京大学(東大)、慶應義塾大学(慶大)、科学技術振興機構(JST)の3者は7月13日、次世代の不揮発性磁気メモリ(MRAM)向け磁気記録層材料として期待される反強磁性体において、「スピン軌道トルク(SOT)方式」による磁気状態の電気的スイッチング機構を、膜厚や放熱性を含む素子構造によって制御できることを明らかにしたと共同で発表した。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2026/07/21 12:01
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20260721-4725341/

テープが１００エクサバイトに

やはり磁石で破壊出来る弱点

もはや東京大学大学院ではなく、中華大学日本支部と呼んだ方が良いぞ。
学者には政治に興味が無い奴が多いが、少しは世間に目を向けた方が良い。
まあ他に目を向けない性質が学者なんだろうけど、あまりにも酷い。

ここにも厨二病が…

これで特許を回避するMRAMが製造できる

>>6
盗みに来てるだけやろ中国人は
何の役にも立たんよ

>熱に頼らない超高速動作の設計指針を提示

>膜厚や放熱性を含む素子構造によって制御できることを明らかにした

放熱性が絡むんじゃあ、熱に頼ってるわけで、超高速にはなりようがないんだが、、、