>>この技術を使い、1枚の薄膜に半導体の二セレン化タングステン、絶縁膜の酸化タングステン、半金属電極の接合層となる二テルル化タングステンを組み込んだモジュール型トランジスタを製作した。

>>チョ・ムンホ氏は「金属電極から半導体に電荷が移動する際に越える必要があるエネルギー障壁が35.5ミリ電子ボルトまで低下した。これは金属電極を接合した場合の約3分の1で、電流が流れやすくなったことを意味する」と説明した。

>>電流を10倍に変化させるのに必要なゲート電圧の変化量は61.3ミリボルトとなり、室温で従来型トランジスタが到達できる理論上の最小値である約60ミリボルトに近づいた。電流のオン・オフ比も1000万倍以上となり、小さな電圧変化で安定した制御ができることを確認した。

>>また、酸化タングステン絶縁膜の電気的性能を厚さに換算した等価酸化膜厚（EOT）は1ナノメートル未満となり、国際半導体ロードマップが示す超微細素子の主要な性能目標を達成したという。製作したインバーター回路は1ボルトの低電圧でも信号を反転でき、積層型集積回路への応用可能性も示した。