7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1416928.html
https://asset.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/1416/928/photo008_o.jpg
3D NANDフラッシュセルの多値記憶技術(左)と、
7bitに相当する128段階のしきい電圧(Vth)を書き込んだときの各しきい電圧のばらつき(右)。
キオクシアがIMW 2022で公表した論文から(論文番号5.2)