【材料】名大、欠陥の少ない高品質な6インチSiC単結晶基板の作製に成功 [すらいむ★]

名大、欠陥の少ない高品質な6インチSiC単結晶基板の作製に成功
著者：波留久泉

　名古屋大学(名大)は10月22日、6インチのSiC単結晶基板を、高品質な結晶成長が可能である「溶液成長法」を用いて作製することに成功したと発表した。

　同成果は、名大 未来材料・システム研究所の朱燦特任助教、同・宇治原徹教授らの研究チームによるもの(結晶の加工については日立金属の協力を得ている)。
　詳細は、仏・トゥール市にて現地時間10月24日から28日にかけて開催される欧州SiC関連材料国際会議「European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021(24日の講演番号We-P-43)」にて発表される。

（以下略、続きはソースでご確認下さい）

マイナビニュース　2021/10/26 16:43
https://news.mynavi.jp/article/20211026-2169970/

な…名大

どう役立つのか説明してくれ

そりゃあパワーデバイスが安く作れるようになるんじゃないの？

>>3
お前の様なバカを発見出来る

>>5
バカセンサーなら従来からのSiで十分出来ると思う。

名犬に空目

祖国に持ってかえるある

頑張ってシリコン並に30センチだったか12インチだったかのぶっといのを作って欲しい。

それにしても、GaAsのような揮発性の成分などないのに、
どうしてSiCには欠陥が多いの？