IBMとSamsungが「バッテリーが1週間持つスマホ」の実現につながる新型半導体設計を発表、「トランジスタを縦向きに重ねる」という新発想

　現地時間2021年12月14日、IBMがSamsungと共同開発した「トランジスタを縦向きに重ねる」という発想の新型半導体設計「Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)」を発表しました。
　VTFETは従来型の設計と比べて消費電力あたりの性能を2倍＆エネルギー消費量を85％削減できる可能性があり、「充電せずともバッテリーが1週間持つスマートフォン」の実現につながるとされています。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

Gigazine 2021年12月16日 15時00分
https://gigazine.net/news/20211216-ibm-samsung-vertical-transistor-architecture-chip/