400ピコ秒の書込速度を実現した新型フラッシュメモリ「PoX」、復旦大学が開発(Nature) [すらいむ★]

400ピコ秒の書込速度を実現した新型フラッシュメモリ「PoX」、復旦大学が開発

　復旦大学の研究チームは4月17日、データの書き込み速度400ピコ秒を可能とした新たなフラッシュメモリ「PoX」を開発したことを発表した。

　詳細は4月16日付で科学誌「Nature」に「Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection」というタイトルで掲載された。

　メモリの読み書きにかかるアクセス速度は揮発性のSRAMやDRAMがナノ秒オーダーである一方、不揮発性であるNAND型フラッシュメモリは100マイクロ秒前後と差がある。
　その間を埋める次世代不揮発性メモリとしてMRAMやReRAM、PCM、FeFETなども存在するが、それでもSRAMに匹敵するような速度と容量の両立には至っていない。

（公開部分ここまで）

マイナビニュース　2025/04/18 17:07
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20250418-3202215/

ピコ食いたくなってきた

＞復旦大学は、上海市楊浦区に所在する中華人民共和国の国立大学である。
やっぱり、論文をコピーした代物でした
コピー元　東北大学
論文名　省エネ半導体の切り札STT-MRAMの極限微細化技術を確立

後で読み出す必要がなければ、幾らでも速い書き込みは可能。

オーデオ専用フラッシュメモリとか高値で売れそう

Write　Only　Memory　=WOM

お断り：本製品は書き込み動作は出来ますが、
読み込み動作が出来ません。理解して御使用下さい。

>>3
全然別物だけど…