磁力がないのに情報が読める？ 東大らが予測した「反強磁性メモリ」の常識を覆すメカニズム [すらいむ★]

磁力がないのに情報が読める？ 東大らが予測した「反強磁性メモリ」の常識を覆すメカニズム

　現代の文明基盤を陰から支える巨大なデータセンター群。
　その実態は、絶え間なく膨大な計算機群を冷却し続けるための「熱の要塞」である。
　生成AIの爆発的な普及や自動運転技術の進展により、人類が生み出すデジタルデータは指数関数的な膨張を続けている。
　この不可逆的な潮流の中で、私たちが依存している現在のコンピューティング・アーキテクチャは、致命的なエネルギーの限界点に直面している。

　その諸悪の根源とも言えるのが、プロセッサの傍らで記憶を司るDRAM（動的ランダムアクセスメモリ）やSRAMなどの主記憶メモリの物理的性質である。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

xenospectrum　2026年4月18日
https://xenospectrum.com/antiferromagnetic-mram-mn3sn-mgo-tmr-breakthrough/

新しいメモリー素子が最近実用化した話は？

xenospectrumでスレ立てするな
常に妄想記事書いてる奴同じ1人の奴だし

読み出しは目処が付いたけど微細領域に少電力な書き込み方法が無いってかんじ?

プレスリリース
https://www.jst.go.jp/pr/announce/20260417/pdf/20260417.pdf

>>しかし、Mn3Sn を用いた TMR効果のこれまでの理論研究は、(考慮が不十分で)、
>>デバイス開発に繋がり得る設計指針を打ち出す研究が
>>必要とされていました。

>>本研究では、トンネル接合の絶縁体として用いられる代表的な物質である酸化マグネシウム(MgO)と、
>>マンガン（Mn）とスズ（Sn）からなる反強磁性合金 Mn3Sn を組み合わせた磁気トンネル接合を、
>>第一原理計算を用いて理論的に設計しました。

>>そして、設計した接合において TMR効果を計算したところ、二つの Mn3Sn 層の持つ
>>磁気モーメントの向きが平行・反平行の状態間でトンネル伝導特性が明確に変化すること、
>>そして接合の性能指数である TMR 比が最大で約1000%にも達する巨大なものとなることを
>>発見しました（図 1）。

プレスリリース(WEB)
https://www.s.u-tokyo.ac.jp/ja/press/11113/

>>4
こんなの出来たらいいなという構造について、理論計算したところだから、
そのあたりはまだまだ手付かずじゃないかな
ただし
>>本研究で設計した MTJ構造は、電気的書き込みにも有用な構造となっています。

>>5
なんだ、メモリじゃなくてTMRじゃないか
このタイトルは酷くないか？

>>5の原題
反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測
ー次世代高密度・超高速磁気メモリの開発に貢献ー

xeno(ryは、自分の主張をしたいから、
主張に則った常識を覆す革命的なタイトルにしているのだろう

スレタイが「反強磁性タモリ」に見えた