プレスリリース
https://www.jst.go.jp/pr/announce/20260417/pdf/20260417.pdf

>>しかし、Mn3Sn を用いた TMR効果のこれまでの理論研究は、(考慮が不十分で)、
>>デバイス開発に繋がり得る設計指針を打ち出す研究が
>>必要とされていました。

>>本研究では、トンネル接合の絶縁体として用いられる代表的な物質である酸化マグネシウム(MgO)と、
>>マンガン（Mn）とスズ（Sn）からなる反強磁性合金 Mn3Sn を組み合わせた磁気トンネル接合を、
>>第一原理計算を用いて理論的に設計しました。

>>そして、設計した接合において TMR効果を計算したところ、二つの Mn3Sn 層の持つ
>>磁気モーメントの向きが平行・反平行の状態間でトンネル伝導特性が明確に変化すること、
>>そして接合の性能指数である TMR 比が最大で約1000%にも達する巨大なものとなることを
>>発見しました（図 1）。