高密度メモリーに道…東大、交替磁性体ドメイン制御に成功

　東京大学の刘哲源大学院生と中島多朗准教授、益田隆嗣教授らは、交替磁性体の磁気ドメインを磁場で制御することに成功した。
　交替磁性体の漏れ磁場は強磁性体の１万分の１と、無視できるほど小さいことも確かめられた。
　交替磁性体は漏れ磁場の小ささを生かした高密度集積デバイスへの応用が期待されている。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

ニュースイッチ　2026年07月04日
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