「電子の渋滞」をゼロにする新構造――KAISTが2次元素材で半導体の接触抵抗を無効化

この記事のポイント

異種材料を物理的に貼り合わせる従来の電極構造を捨て、単一の2次元素材内部で性質を変化させるモノリシック構造を実現した。
半金属から半導体へと電流が流れる際、境界での抵抗や経路の湾曲が一切生じないことを、原子間力顕微鏡を用いてナノレベルで直接確認した。
プロセスの微細化に伴って深刻化していた接触抵抗の問題を根本から解決し、次世代AIチップの超低消費電力化を前進させる技術となる。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

xenospectrum　2026年7月14日
https://xenospectrum.com/kaist-semiconductor-bottleneck-ptse2