東大など、反強磁性体MRAMで熱に頼らない超高速動作の設計指針を提示

　東京大学(東大)、慶應義塾大学(慶大)、科学技術振興機構(JST)の3者は7月13日、次世代の不揮発性磁気メモリ(MRAM)向け磁気記録層材料として期待される反強磁性体において、「スピン軌道トルク(SOT)方式」による磁気状態の電気的スイッチング機構を、膜厚や放熱性を含む素子構造によって制御できることを明らかにしたと共同で発表した。

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マイナビニュース　2026/07/21 12:01
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20260721-4725341/