HBF (NANDフラッシュベース):
• 特性: 構造上、データの読み書きに時間がかかり（レイテンシが大きい）、ランダムアクセス性能がDRAMに比べて数桁〜数万倍劣ります。
• 理由: フラッシュメモリは「ブロック単位」での読み出しや消去という特性上、細かいランダムアクセスには不向きです。これをいくら積層して帯域（バス幅）を広げても、メモリセル自体の物理的な応答速度（レイテンシ）という「壁」は越えられません。